奥斯汀半导体公司
AS4LC4M4 883C
MEG 4 ×4的DRAM
电气特性和推荐AC工作条件
（注： 6 ，7，8 ，9，10 ，11，12 ， 13）， （Ⅴ
CC
= +3.3V
±0.3V)
AC特性
参数
符号
t
关闭
输出缓冲关断延迟
之前， RAS在隐藏刷新周期OE设置
t
ORD
? /
? ? /
t
PC
EDO -页面模式读取或写入周期时间
t
PRWC
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
t
RAC
访问时间从
?
R
?
A
/
S
t
拉德
?
R
?
A
/
S到列地址的延迟时间
t
RAH
行地址保持时间
t
拉尔
列地址为
?
R
?
A
/
马首是瞻的时间
t
RAS
?
R
?
A
/
S脉冲宽度
t
RASP
?
R
?
A
/
S脉冲宽度（ EDO页模式）
t
RC
随机读或写周期时间
t
RCD
?
R
?
A
/
S到
?
C
?
A
/
s延迟
t
RCH
读命令保持时间（参考
?
C
?
A
/
S)
t
RCS
READ命令设置时间
t
REF
刷新周期（2048次）
t
RP
?
R
?
A
/
S预充电时间
t
RPC
?
R
?
A
/
S到
?
C
?
A
/
S预充电时间
t
RRH
读命令保持时间（参考
?
R
?
A
/
S)
t
RSH
?
R
?
A
/
的掌握，时间
t
RWC
读写周期时间
t
RWD
?
R
?
A
/
S到
?
W
/
ê延迟时间
t
RWL
写命令
?
R
?
A
/
马首是瞻的时间
t
T
转换时间（上升或下降）
t
WCH
写命令保持时间
t
WCR
写命令保持时间（参考
?
R
?
A
/
S)
t
WCS
?
W
/
E指令设置时间
t
WHZ
输出禁用延迟从
?
W
/
E
t
WP
WRITE命令的脉冲宽度
t
WPZ
?
W
/
E脉冲禁用于
?
C
?
A
/
的高
t
WRH
?
W
/
Ë保持时间（ CBR刷新）
t
WRP
?
W
/
E设定时间（ CBR刷新）
-6
民
0
0
30
75
15
10
30
60
60
110
16
0
0
40
5
0
13
150
80
15
2
10
40
0
0
10
10
10
10
最大
15
民
0
0
35
85
15
10
35
70
70
130
16
0
0
50
5
0
15
180
90
15
2
12
56
0
0
12
12
10
10
-7
最大
15
民
0
0
40
90
15
10
40
80
80
150
20
0
0
60
5
0
15
200
105
20
2
15
60
0
0
15
15
10
10
-8
最大
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
19
60
30
70
35
80
40
13
17
10,000
100,000
45
10,000
100,000
50
10,000
100,00
60
16
18
32
32
32
18
20
30
30
30
20
14
16
20
24
24
AS4LC4M4
牧师11/97
DS000022
2-79
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
