奥斯汀半导体公司
AS4LC4M4 883C
MEG 4 ×4的DRAM
笔记
1.
2.
3.
4.
参考V所有电压
SS
.
这个参数进行采样。 V
CC
= + 3.3V ; F = 1兆赫。
I
CC
依赖于循环速率。
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值与最小周期得到
时间和输出打开。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
6.最小规格仅用于指示
周期时间，在这适当的工作在FUL
温度范围内是有保证的。
7.为100μs的initail暂停后开机需要
接着8
/
R
/
A
/
S更新周期（ / R
/
A
/
唯一或
与CBR
/
W
/
Ë HIGH ）器件正常工作之前，
是有保证的。八
/
R
/
A
/
硫循环唤醒，应该是
重复任意thime的
t
REF刷新的要求是
超标。
8. AC特点假设
t
T =为2.5ns 。
9. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平为
测量输入信号的定时。转换时间
V的测量
IH
和V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
).
10.除了满足升学率规范
化，所有的输入信号必须V之间的过境
IH
和
V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
）中的单调方式。
11.列地址每一个周期更换一次。
12.测得相当于两个TTL门的负载，
100pF电容和V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V.
13.假设条件
t
RCD <
t
RCD （MAX）。如果
t
RCD较大
于此所示的最大建议值
表，
t
RAC将通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
14.假设条件
t
RCD≥
t
RCD （MAX）。
15.如果
?
C
?
A
/
S为低电平时的下降沿
?
R
?
A
/
S，Q将是
来自前一个周期保持。要启动一个新的
周期和清除数据出缓冲器，
?
C
?
A
/
s必须是
脉冲高的
t
CP 。
内16.操作
t
RCD （ MAX）限制确保
t
RAC （ MAX）可以得到满足。
t
RCD （MAX）被指定为
一个参考点仅如果
t
RCD大于
特定网络版
t
RCD （ MAX ）的限制，然后访问时间
完全由控制
t
CAC ，提供
t
RAD是不是
超标。
内17.操作
t
RAD （ MAX）限制确保
t
RAC （MIN）和
t
CAC （ MIN）可以得到满足。
t
拉德
（MAX），被指定为唯一的一个参考点;如果
t
拉德
大于指定的
t
RAD （ MAX ）的限制，那么
存取时间由专门受控
t
AA ，提供
t
RCD不超标。
18.无论是
t
RCH或
t
RRH必须满足一个读
周期。
19.
t
关（ MAX ）定义的时间，这时，输出
实现了开路状态，并且是不
参考V
OH
或V
OL
。它是从参考
上升沿
?
R
?
A
/
S或
?
C
?
A
/
S，以先到为准过去。
20. t
WCS ，
t
RWD ，
t
AWD和
t
CWD的，并不限制
操作参数。
t
WCS适用于早期
写周期。
t
RWD ，
t
AWD和
t
CWD申请
读 - 修改 - 写周期。如果
t
WCS
≥
t
WCS
（MIN），该循环是一个早期写入周期和
数据输出将在整个保持开路
整个循环。如果
t
WCS <
t
WCS （ MIN ）和
t
RWD
≥
t
后轮驱动（ MIN）
t
AWD
≥
t
AWD （ MIN ）和
t
CWD
≥
t
CWD （ MIN ） ，该周期是一个读 - 修改 - 写
和输出的数据将包含从读出的数据
选定的单元格。如果上述两个条件都不满足，
数据输出的状态是不确定的。
?
O
/
ê保持高电平
和
?
W
/
E截取后低
?
C
?
A
/
S端变为在低结果
后写（ 2 O
/
电子控制）周期。
t
WCS ，
t
RWD ，
t
CWD和
t
AWD并不适用于晚期
写周期。
21.这些参数是参照
?
C
?
A
/
领先优势
在早期的写周期和
?
W
/
Ë在前沿
晚写或读 - 修改 - 写周期。
22.如果
?
O
/
E被永久接为低电平，后写入或
读 - 修改 - 写操作不permis-
sible并且不应该尝试。另外，
?
W
/
E
一定期间进行脉冲
?
C
?
A
/
的高时间以
把I / O的高阻抗缓冲器。
23.隐藏刷新，也可以后进行
写周期。在这种情况下，
?
W
/
E = LOW和
?
O
/
E = HIGH 。
24.
t
WTS和
t
WTH是建立和保持规范
该
/
W
/
Ë引脚被保持低电平，使JEDEC测试
模式（ CBR时间限制） 。这两个
参数的反转
t
与WRP
t
WRH在
CBR刷新周期。
AS4LC4M4
牧师11/97
DS000022
2-80
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
