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AS4SD2M32DGX-6XT 参数 Datasheet PDF下载

AS4SD2M32DGX-6XT图片预览
型号: AS4SD2M32DGX-6XT
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内容描述: 512K ×32× 4银行( 64 MB) SDRAM同步 [512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 1943 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SDRAM  
AS4SD2M32  
Austin Semiconductor, Inc.  
CAPACITANCE2  
PARAMETER  
SYM  
MIN  
MAX  
UNITS  
NOTES  
Input Capacitance: CLK  
C
2
4
pF  
29  
I1  
Input Capacitance: All other input-only pins  
Input/Output Capacitance: DQs  
C
2
4
pF  
pF  
30  
31  
I2  
C
4.0  
5.0  
IO  
AC FUNCTIONAL CHARACTERISTICS5,6,7,8,9,11  
PARAMETER  
SYMBOL -6, -7, -75 UNITS  
NOTES  
READ/WRITE command to READ/WRITE command  
t
1
1
1
0
0
2
0
5
2
1
1
2
2
3
2
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
17  
CCD  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CK  
CKE to clock disable or power-down entry mode  
CKE to clock enable or power-down exit setup mode  
DQM to input data delay  
t
14  
14  
CKED  
t
PED  
t
17  
DQD  
DQM to data mask during WRITEs  
t
17  
DQM  
DQM to data high-impedance during READs  
WRITE command to input data delay  
Data-in to ACTIVE command  
t
17  
DQZ  
t
17  
DWD  
t
15, 21  
16, 21  
17  
DAL  
Data-in to PRECHARGE command  
t
DPL  
Last data-in to burst STOP command  
Last data-in to new READ/WRITE command  
Last data-in to PRECHARGE command  
t
BDL  
t
17  
CDL  
t
16, 21  
26  
RDL  
LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH command  
t
MRD  
CL = 3  
CL = 2  
t
t
17  
ROH(3)  
ROH(2)  
Data-out to high-impedance from PRECHARGE command  
17  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS4SD2M32  
Rev. 1.0 1/08  
28  
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