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AS4DDR264M64PBG1R-38/ET 参数 Datasheet PDF下载

AS4DDR264M64PBG1R-38/ET图片预览
型号: AS4DDR264M64PBG1R-38/ET
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内容描述: 64Mx64 DDR2 SDRAM W /共享控制总线集成塑封微电路 [64Mx64 DDR2 SDRAM w/ SHARED CONTROL BUS iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 28 页 / 243 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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iPEM  
4.2 Gb SDRAM-DDR2  
Austin Semiconductor, Inc.  
AS4DDR264M64PBG1  
INPUT DC LOGIC LEVEL  
All voltages referenced to Vss  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
VIH (DC)  
VREF + 0.125 VCC + 0.3001  
Input High (Logic 1) Voltage  
V
VIL (DC)  
VREF - 0.125  
Input Low (Logic 0) Voltage  
-0.300  
V
Note 1: VCCQ = VCC, 300mV is allowed provided Vcc does not exceed 1.9V  
INPUT AC LOGIC LEVEL  
All voltages referenced to Vss  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
VCC+0.3001  
VCC+0.3001  
VREF - 0.250  
VREF - 0.200  
Unit  
V
IH (AC)  
IH (AC)  
VREF + 0.250  
AC Input High (Logic 1) Voltage DDR2-400 & DDR2-533  
V
V
VREF + 0.200  
-0.3  
AC Input High (Logic 1) Voltage DDR2-667  
ACInput Low (Logic 0) Voltage DDR2-400 & DDR2-533  
AC Input Low (Logic 0) Voltage DDR2-667  
V
V
V
VIL (AC)  
VIL (AC)  
-0.3  
Note 1: VCCQ = VCC, 300mV is allowed provided Vcc does not exceed 1.9V  
Austin Semiconductor, Inc.  
Austin, Texas  
512.339.1188  
www.austinsemiconductor.com  
AS4DDR264M64PBG1  
Rev. 0.5 06/08  
22  
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