描述
爱特梅尔AT45DB161E是2.3V或2.5V最小，串行接口顺序存取闪存产品适合于
各种数字声音，图象，程序代码，和数据存储应用。该AT45DB161E还支持
急流串行接口用于要求非常高的速度运行的应用程序。它的17301504位存储器组织
作为4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器，所述AT45DB161E还包含两个
每个五百二十八分之五百十二字节的SRAM缓存。该缓冲器允许接收数据的同时，在主存储器中的页正被
重新编程。这两个缓冲区之间交错可以大大提高系统的写连续数据的能力
流。此外，对SRAM缓冲器可以用作额外的系统暂存器，以及E
2
PROM仿真（位
或字节变性）可与自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作来容易地处理。
不同于与多个地址线和并行接口，所述随机访问的常规快闪存储器
爱特梅尔的DataFlash
®
采用串行接口按顺序访问其数据。简单的顺序访问极大地
主动减少引脚数量，简化了方便硬件布局，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关噪声，
并减少封装尺寸。该装置是用在许多商业和工业应用中的优化
高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。
为了允许简单的在系统重新编程，该AT45DB161E不需要高输入电压为
编程。该器件从一个单一的2.3V至3.6V或2.5V至3.6V电源为擦除和编程操作
和读取操作。该AT45DB161E通过片选引脚（CS ）启用，并通过3线接口访问
由串行输入（ SI ） ，串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）的。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
1.
引脚配置和引脚
图1-1 。插脚引线
8引脚SOIC
顶视图
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
V
CC
WP
SI
SCK
RESET
CS
8 ，垫UDFN
顶视图
1
2
3
4
8球CBGA
顶视图
SO
7
GND
6
V
CC
5
WP
8
SCK
GND
V
CC
CS
NC
WP
SO
SI
RST
注意：
1.
在UDFN封装底部的金属垫内部没有连接到电压电势。
这种垫可以是“无连接”，或连接到GND 。
爱特梅尔AT45DB161E [初始规格]
8782A–DFLASH–3/12
2
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
