其次是3个地址字节（ A20 - A0 ） 。继地址字节， SCK引脚将额外的时钟脉冲
导致数据在SO引脚输出。
CS引脚必须的操作码，地址字节和数据的读出的装载期间保持低电平。当端部
的过程中的连续阵列达到在主存储器中的页的读取，所述装置将继续读取在
下页的开头与页边界交叉（从末端的交叉过程中发生的没有延迟
一个页面的下一个页面的开始处） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该装置将
继续读回的存储器中的第一页的开头。如同穿越了页面边界，没有延迟会
从阵列到阵列的开头的末端缠绕时将发生。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。最大
SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义
CAR3
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
5.6
主存储器页读
一个主存储器页读允许用户直接从4096页在主存储器中的任何一个读取数据，
绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容不变。要开始使用阅读页面
标准数据闪存的页面大小（528字节），D2H的操作码必须移入器件后跟三个地址
字节（其中包括24位页和字节地址序列）和四个伪字节。的前12位
（PA11 - PA0）的22位地址序列的指定在主存储器中的被读取页的最后10个比特
22位地址序列 - （BA9 BA0）指定网页内的起始字节地址。要开始阅读页面使用
二进制页面大小（512字节），操作码D2H必须移入设备随后3个地址字节和
4伪字节。的前12位 - 的21位（A20 A9）地址序列指定主内存的哪一页
阵列读，最后九个位（A8 - A0）的21位地址序列的指定范围内的起始字节地址
页面。随后的地址字节的伪字节被发送到初始化读操作。继假
字节，在SCK导致数据被上SO（串行输出）引脚输出额外的脉冲。
CS引脚必须的操作码，地址字节，虚拟字节加载过程中保持较低水平，而阅读
数据。当达到在主存储器中的页的结束，该装置将继续回读时的初
同一个页面。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。最大
SCK的频率允许对主存储器页读出被的F定义
SCK
规范。主存储器页
读绕过两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
5.7
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问并利用该缓冲器读
命令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。四操作码，D4H或D1H的缓冲器1和D6H或
D3H为缓冲器2，可用于在缓冲器读命令。利用每个操作码取决于最大SCK
频率将用于从缓冲器读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何SCK频率高达使用
由F的具体最大
CAR1
。而D1H和D3H操作码可被用于较低频率读操作向上
由F的具体最大
CAR2
.
使用标准数据闪存缓冲器大小（528字节）执行缓冲器读，操作码必须被读入
设备后跟三个地址字节由14位虚拟和10缓冲区地址位（BFA9 - BFA0）。到
使用二进制缓冲区大小（512字节）执行缓冲区读取，操作码必须移入设备随后
由15虚设位和九个缓冲区地址位三个地址字节（BFA8 - BFA0）。继地址
字节，一个虚拟字节的时钟必须在使用，如果操作码D4H或D6H初始化读操作。 CS引脚必须
操作码，地址字节，伪字节，和数据的读出的装载期间保持低电平。当
一个缓冲器的末尾为止，所述装置将继续读回的缓冲区的开始。在低到高的转变
CS引脚将终止读操作和三态输出引脚（SO ） 。
爱特梅尔AT45DB161E [初始规格]
8782A–DFLASH–3/12
9
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
