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AT45DB161E-CCDH-B 参数 Datasheet PDF下载

AT45DB161E-CCDH-B图片预览
型号: AT45DB161E-CCDH-B
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内容描述: 16 - Mbit的数据闪存(带额外的512千位) , 2.3V或2.5V的最小的SPI串行闪存 [16-Mbits DataFlash (with Extra 512-Kbits), 2.3V or 2.5V Minimum SPI Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 70 页 / 2255 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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爱特梅尔AT45DB161E
16兆位数据闪存(带额外的512千位) , 2.3V或2.5V的最小
SPI串行闪存
初步数据表
特点
单2.3V - 3.6V或2.5V - 3.6V电源
串行外设接口(SPI )兼容
支持SPI模式0和3
支持爱特梅尔
®
急流
手术
通过整个阵列连续读取功能
高达85MHz的
低功耗的阅读选项高达10MHz
时钟到输出时间(t
V
)为6ns最大
用户可配置的页面大小
每页512字节
每页528字节(默认)
页面大小可以工厂预配置为512字节
两个完全独立的SRAM数据缓冲区( 528分之512字节)
允许接收数据而重新编程所述主存储器阵列
灵活的编程选项
字节/页程序( 1五百二十八分之五百十二字节)直接到主存储器
缓冲区写
缓冲区到主存储器页编程
灵活的擦除选项
页擦除( 528分之512字节)
块擦除( 4KB )
扇区擦除( 128KB )
芯片擦除( 16兆位)
编程和擦除暂停/恢复
先进的硬件和软件数据保护功能
个别行业的保护
单个扇区锁定作任何扇区永久只读
128字节的一次性可编程( OTP )安全注册
64字节的工厂与一个唯一的标识符编程
64个字节的用户可编程
软件控制的复位
JEDEC标准制造商和设备ID读
低功耗
500nA的超深度掉电电流(典型值)
3μA深度掉电电流(典型值)
25μA待机电流(典型值)
11毫安有效的读电流(典型值)
耐力:每页最低100,000编程/擦除周期
数据保存时间:20年
符合工业温度范围内
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
8引脚SOIC (宽0.150" )
8垫超薄DFN ( 5 ×6× 0.6毫米)
9球芯片级的BGA (5 ×5× 1.2毫米)
8782A–DFLASH–3/12