5.
读取命令
通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从任一个两个SRAM数据的读取
缓冲区。该数据闪存支持模式0和模式3，请参阅急流协议
图中这个数据表上的时钟周期序列的详细信息
每个模式。
5.1
连续阵列读取（旧命令： E8H操作码）
通过提供一个初始地址为所述主存储器阵列，该连续阵列读命令可以利用
依次通过简单地提供一个时钟信号从设备读取数据的连续流;没有额外的
寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器
这将自动增加在每个时钟周期，使一个连续读取操作而不需要
其他地址测序。从标准的数据闪存的页面大小（528字节）进行连续读取，一个
E8H的操作码必须移入器件后跟三个地址字节（其中包括24位和第字节
地址序列）和四个虚拟字节。的前12位（PA11 - PA0）的22位地址序列的指定
主存储器阵列的页读取和最后一个10位（BA9 - BA0）的22位地址序列的指定
内页起始字节地址。到来自二进制页大小（512字节），一个操作码执行连续读取
E8H必须移入器件后跟三个地址字节和四个虚拟字节。第一
12位（A20 - A9）21比特序列的指定要读出的页的主存储器阵列的最后九个位
（A8 - A0）的21位地址序列的指定的起始字节的页内地址。下面的伪字节
需要的地址字节初始化读操作。以下的伪字节，附加时钟脉冲上
SCK引脚将导致数据上的SO （串行输出）引脚输出。
CS引脚必须的操作码，地址字节，虚拟字节加载过程中保持较低水平，而阅读
数据。当在一个连续阵列读达到在主存储器中的页的结束，该装置将继续
读取下一个页面的开始处与页边界交叉（从分频器期间发生的任何延迟
一页的结束到下一个页面的开始处） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，
装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页边界，无
从阵列到阵列的开头结尾缠绕时的延迟会发生。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。最大
SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义
CAR1
规范。连续阵列读
绕过数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
注意：
此命令不建议用于新设计。
5.2
连续阵列读取（高频率模式： 1BH操作码）
该命令可以与串行接口用于读取主存储器阵列依次在非常高速（HS）
模式的任何时钟频率达到最大为f指定
CAR1
。要执行连续读取阵列的
标准数据闪存页大小（528字节）中，CS必须首先断言然后一个操作码1BH必须移入
设备后跟三个地址字节和两个伪字节。的22位地址的 - 第一12位（PA0 PA11）
序指定要读取的页的主存储器阵列的最后10位（BA9 - BA0）的22位地址的
顺序指定页面内的起始字节地址。要执行连续读取与二进制页面大小
（512字节），操作码1BH必须移入器件后跟三个地址字节（A20 - A0）和两个假人
字节。继虚拟字节，额外的时钟脉冲SCK引脚会导致数据上的SO输出
（串行输出）引脚。
CS引脚必须的操作码，地址字节，虚拟字节加载过程中保持较低水平，而阅读
数据。当在一个连续阵列读达到在主存储器中的页的结束，该装置将继续
在没有延迟的页边界交叉时发生的下一个页面的起始读取（交叉
从一个页面的结尾到下一个页面的开始处） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，
所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页
边界，无延迟，将阵列到阵列的开头结尾缠绕时，将发生。
爱特梅尔AT45DB161E [初始规格]
8782A–DFLASH–3/12
7
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
