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APM2103SG 参数 Datasheet PDF下载

APM2103SG图片预览
型号: APM2103SG
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内容描述: 双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 153 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2103SG  
Typical Characteristics  
Power Dissipation  
Drain Current  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
TA=25oC,VG=-4.5V  
TA=25oC  
0.0  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Safe Operation Area  
Thermal Transient Impedance  
2
1
50  
10  
Duty = 0.5  
0.2  
0.1  
300ms  
1ms  
1
0.1  
0.05  
0.02  
0.1  
10ms  
100ms  
0.01  
1s  
DC  
Mounted on 1in2 pad  
Single Pulse  
TA=25oC  
R
qJA : 110 oC/W  
0.01  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1E-4 1E-3 0.01 0.1  
1
10  
VDS - Drain - Source Voltage (V)  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
Copyright ã ANPEC Electronics Corp.  
4
www.anpec.com.tw  
Rev. A.1 - Jun., 2006