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APM2103SG 参数 Datasheet PDF下载

APM2103SG图片预览
型号: APM2103SG
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内容描述: 双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 153 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2103SG  
Electrical Characteristics (Cont.) (TA = 25°C unless otherwise noted)  
APM2103SG  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Unit  
Min.  
Typ. Max.  
Dynamic Characteristics b  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
360  
80  
VGS=0V,  
VDS=-10V,  
Frequency=1.0MHz  
pF  
ns  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
50  
td(ON) Turn-on Delay Time  
tr Turn-on Rise Time  
td(OFF) Turn-off Delay Time  
8
15  
41  
53  
59  
VDD=-10V, RL=10W,  
IDS=1A, VGEN=-4.5V,  
RG=6W  
22  
29  
32  
tf  
Turn-off Fall Time  
trr  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
14  
6
ns  
nc  
ISD=-2.5A  
dlSD/dt =100A/µs  
Qrr  
Notes:  
a : Pulse test ; pulse width£300ms, duty cycle£2%.  
b : Guaranteed by design, not subject to production testing.  
Copyright ã ANPEC Electronics Corp.  
3
www.anpec.com.tw  
Rev. A.1 - Jun., 2006