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    M42000002V 参数 Datasheet PDF下载

    M42000002V图片预览
    型号： M42000002V
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位（8M ×8位/ 4米x 16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存和4兆位（ 256千×16位），静态RAM [64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (256 K x 16-Bit) Static RAM]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 61 页 / 1027 K
    品牌： AMD [ AMD ]
     浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第50页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第51页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第52页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第53页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第55页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第56页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第57页浏览型号M42000002V的Datasheet PDF文件第58页  
    P R E L I M I N A R Y  
    SRAM CHARACTERISTICS  
    tRC  
    Address  
    tAA  
    tCO1  
    tOH  
    CS#1  
    CS2  
    tCO2  
    tBA  
    tHZ  
    UB#, LB#  
    OE#  
    tBHZ  
    tOE  
    tOLZ  
    tBLZ  
    tLZ  
    tOHZ  
    Data Out  
    High-Z  
    Data Valid  
    Figure 29. SRAM Read Cycle  
    Notes:  
    1. WE# = VIH. ignore UB#s/LB#s timing.  
    2. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output  
    voltage levels.  
    3. At any given temperature and voltage condition, tHZ (Max.) is less than tLZ (Min.) both for a given device and from device to device  
    interconnection.  
    March 20, 2002  
    Am42DL6404G  
    53  

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