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M42000002V 参数 Datasheet PDF下载

M42000002V图片预览
型号: M42000002V
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内容描述: 64兆位(8M ×8位/ 4米x 16位) CMOS 3.0伏只,同时操作闪存和4兆位( 256千×16位),静态RAM [64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (256 K x 16-Bit) Static RAM]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 61 页 / 1027 K
品牌: AMD [ AMD ]
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P R E L I M I N A R Y  
SRAM CHARACTERISTICS  
Read Cycle  
Speed  
Parameter  
Description  
Symbol  
Unit  
70  
70  
70  
70  
35  
70  
85  
85  
85  
85  
45  
85  
tRC  
tAA  
tCO1, tCO2  
tOE  
Read Cycle Time  
Min  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Enable to Output  
Output Enable Access Time  
LB#s, UB#s to Access Time  
Max  
Max  
Max  
Max  
tBA  
Chip Enable (CE1#s Low and CE2s High) to Low-Z  
Output  
t
LZ1, tLZ2  
Min  
10  
ns  
tBLZ  
tOLZ  
tHZ1, tHZ2  
tBHZ  
UB#, LB# Enable to Low-Z Output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Min  
Min  
10  
5
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Max  
Max  
Max  
Min  
25  
25  
25  
10  
UB#s, LB#s Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Output Data Hold from Address Change  
tOHZ  
tOH  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
Data Valid  
Data Out  
Previous Data Valid  
Note: CE1#s = OE# = VIL, CE2s = WE# = VIH, UB#s and/or LB#s = VIL  
Figure 28. SRAM Read CycleAddress Controlled  
52  
Am42DL6404G  
March 20, 2002