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    M41000002T 参数 Datasheet PDF下载

    M41000002T图片预览
    型号： M41000002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同步读/写闪存和8兆位（ 1一M× 8位/ 512的K× 16位）静态RAM [32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory and 8 Mbit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) Static RAM]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 66 页 / 1128 K
    品牌： AMD [ AMD ]
     浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第39页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第40页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第41页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第44页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第45页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第46页浏览型号M41000002T的Datasheet PDF文件第47页  
    P R E L I M I N A R Y  
    TEST CONDITIONS  
    Table 21. Test Specifications  
    Test Condition 70, 85 ns  
    3.3 V  
    Unit  
    Output Load  
    1 TTL gate  
    2.7 kΩ  
    Device  
    Under  
    Test  
    Output Load Capacitance, CL  
    (including jig capacitance)  
    30  
    pF  
    Input Rise and Fall Times  
    Input Pulse Levels  
    5
    ns  
    V
    C
    L
    6.2 kΩ  
    0.0–3.0  
    Input timing measurement reference  
    levels  
    1.5  
    1.5  
    V
    V
    Output timing measurement  
    reference levels  
    Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
    Figure 11. Test Setup  
    KEY TO SWITCHING WAVEFORMS  
    WAVEFORM  
    INPUTS  
    OUTPUTS  
    Steady  
    Changing from H to L  
    Changing from L to H  
    Don’t Care, Any Change Permitted  
    Changing, State Unknown  
    Does Not Apply  
    Center Line is High Impedance State (High Z)  
    KS000010-PAL  
    2.0 V  
    0.0 V  
    1.0 V  
    1.0 V  
    Input  
    Measurement Level  
    Output  
    Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels  
    42  
    Am41DL32x8G  
    September 5, 2002  

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