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    AM29F016-120EC 参数 Datasheet PDF下载

    AM29F016-120EC图片预览
    型号： AM29F016-120EC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16兆位（ 2,097,152 ×8位） CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存 [16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
    分类和应用： 闪存内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 36 页 / 220 K
    品牌： AMD [ AMD ]
     浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第28页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第29页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第30页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第31页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第32页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第34页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第35页浏览型号AM29F016-120EC的Datasheet PDF文件第36页  
    Data Polling  
    PA  
    5555H  
    tWC  
    PA  
    Addresses  
    tAH  
    tAS  
    WE  
    OE  
    tGHEL  
    tCP  
    tWHWH1  
    CE  
    tCPH  
    tWS  
    tDH  
    DOUT  
    Data  
    PD  
    DQ7  
    A0H  
    tDS  
    5.0 Volt  
    Notes:  
    1. PA is address of the memory location to be programmed.  
    2. PD is data to be programmed at byte address.  
    3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.  
    4. DOUT is the output of the data written to the device.  
    5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.  
    18805D-24  
    Figure 18. Alternate CE Controlled Program Operation Timing  
    Am29F016  
    33  

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