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AM29F016-120EC 参数 Datasheet PDF下载

AM29F016-120EC图片预览
型号: AM29F016-120EC
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内容描述: 16兆位( 2,097,152 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 [16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 36 页 / 220 K
品牌: AMD [ AMD ]
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AC CHARACTERISTICS  
Write/Erase/Program Operations  
Alternate CE Controlled Writes  
Parameter Symbol  
Speed Options (Notes 1 and 2)  
JEDEC  
tAVAV  
Standard  
tWC  
Parameter Description  
Write Cycle Time  
-75  
70  
0
-90  
90  
0
-120  
120  
0
-150  
150  
0
Unit  
ns  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
tAVEL  
tELAX  
tDVEH  
tEHDX  
tAS  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
ns  
tAH  
tDS  
tDH  
tOES  
40  
40  
0
45  
45  
0
50  
50  
0
50  
50  
0
ns  
Data Setup Time  
ns  
Address Hold Time  
ns  
Output Enable Setup Time (Note 2)  
0
0
0
0
ns  
Read (Note 2)  
Output  
0
0
0
0
ns  
tOEH  
Enable  
Hold Time  
(Note 2)  
Toggle Bit I and Data Polling  
Min  
10  
10  
10  
10  
ns  
tGHEL  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tGHEL  
tWS  
Read Recover Time Before Write  
CE Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Max  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
tWH  
CE Hold Time  
0
0
0
0
ns  
tCP  
Write Pulse Width  
40  
20  
7
45  
20  
7
50  
20  
7
50  
20  
7
ns  
tEHEL  
tCPH  
tWHWH1  
Write Pulse Width High  
Byte Programming Operation  
ns  
tWHWH1  
µs  
1
1
1
1
sec  
sec  
tWHWH2  
tWHWH2  
Sector Erase Operation (Note 1)  
8
8
8
8
Notes:  
1. This does not include the preprogramming time.  
2. Not 100% tested.  
32  
Am29F016  
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