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AM29F016-120EC 参数 Datasheet PDF下载

AM29F016-120EC图片预览
型号: AM29F016-120EC
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内容描述: 16兆位( 2,097,152 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 [16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 36 页 / 220 K
品牌: AMD [ AMD ]
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AC CHARACTERISTICS  
Write/Erase/Program Operations  
Parameter Symbol  
Speed Options (Notes 1 and 2)  
JEDEC Standard  
Parameter Description  
-75  
70  
0
-90  
90  
0
-120  
120  
0
-150  
150  
0
Unit  
ns  
tAVAV  
tWC  
tAS  
tAH  
tDS  
tDH  
Write Cycle Time  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
ns  
40  
40  
0
45  
45  
0
50  
50  
0
50  
50  
0
ns  
ns  
ns  
Read 2  
0
0
0
0
ns  
Output  
tOEH  
Enable  
Hold Time  
Toggle Bit I and Data Polling  
2
Min  
Min  
10  
0
10  
0
10  
0
10  
0
ns  
ns  
Read Recover Time Before Write  
(OE high to WE low)  
tGHWL  
tGHWL  
tELWL  
tCS  
CE Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Max  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tWHWH1  
tCH  
CE Hold Time  
tWP  
Write Pulse Width  
40  
20  
7
45  
20  
7
50  
20  
7
50  
20  
7
ns  
tWPH  
tWHWH1  
Write Pulse Width High  
Byte Programming Operation  
ns  
µs  
sec  
sec  
µs  
ns  
1
1
1
1
tWHWH2  
tWHWH2  
Sector Erase Operation 1  
8
8
8
8
tVCS  
VCC Set Up Time 2  
50  
500  
4
50  
500  
4
50  
500  
4
50  
500  
4
tVIDR  
tVLHT  
tOESP  
tRP  
Rise Time to VID (Notes 2, 3)  
Voltage Transition Time (Notes 2, 3)  
OE Setup Time to WE Active (Notes 2, 3)  
RESET Pulse Width  
µs  
µs  
ns  
4
4
4
4
500  
40  
500  
40  
500  
50  
500  
60  
tBUSY  
Program/Erase Valid to RY/BY Delay  
ns  
Notes:  
1. This does not include the preprogramming time.  
2. Not 100% tested.  
3. These timings are for Temporary Sector Group Unprotect operation.  
26  
Am29F016  
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