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AS29F040-120LI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-120LI图片预览
型号: AS29F040-120LI
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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描述
扇区擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期,一个setup命令,另外两个解锁
写周期,最后扇区擦除命令。鉴定部门通过解决任何被删除
位置中的扇区。的地址被锁存WE的下降沿;的命令, 30h中,被锁存
在WE的上升沿。经过80微秒超时扇区擦除操作开始。
要删除多个部门,写扇区擦除命令,每个部门的地址删除
按照上面的六个总线周期操作之后。额外的部门写的时间必须
<80微秒,或AS29F040忽略该命令和擦除开始。在擦除超时时间
我们中的任何下降沿复位超时。任何命令(除扇区擦除等或擦除暂停)
在超时周期复位AS29F040阅读模式,并且该设备将忽略该扇区擦除
命令字符串。通过在忽略重新启动扇区擦除命令擦除等部门忽视
部门。
整个阵列不需要被写入与擦除前的0。 AS29F040写0到整个部门
之前的电擦除;写0只影响特定的行业,留下未选择的行业
不受影响。 AS29F040需要在扇区擦除操作没有CPU控制或定时信号。
自动扇区擦除后擦除时间,从我们的最后一个上升沿从扇区擦除开始
命令流和结束时的数据的轮询( DQ7 )是逻辑1,数据轮询必须执行
对属于行业内的地址被删除。 AS29F040返回扇区擦除后阅读模式
除非DQ5设置了超过时限高。
擦除挂起允许扇区擦除操作的中断进行数据读取或写入
一个行业没有被删除。擦除挂起只适用于在扇区擦除操作,包括时间
超时期限。在扇区擦除超时导致直接写入擦除命令暂停
终止擦除操作的超时时间和暂停。
AS29F040忽略擦除过程中的任何命令暂停不是读/复位,程序或删除其它
恢复命令。写擦除继续命令继续擦除操作。地址是
写擦除暂停或删除恢复命令时,不要在意。
AS29F040花费0.2〜15 μs的接收擦除暂停命令后暂停擦除操作。对
确定擦除完成后暂停,选择一个扇区地址不会被后检查DQ6
删除。检查DQ2与DQ6配合,以确定是否一个扇区被擦除。 AS29F040
忽略擦除多余的写操作挂起。
而在擦除暂停模式AS29F040允许读取数据(擦除挂起读取模式)或从
编程数据(擦除暂停程序模式)的任何部门没有进行扇区擦除,视为
标准的读或标准的编程模式。 AS29F040默认为擦除暂停阅读的模式,而
擦除操作已被暂停。
写简历的命令30H继续扇区擦除操作。 AS29F040忽略冗余
简历命令写入。 AS29F040允许多个部门中暂停/恢复操作
抹去。
当试图写入受保护的部门,数据轮询和切换位1 ( DQ6 )被激活
约<1微秒。当试图删除受保护的部门,数据轮询和切换位1 ( DQ6 )的
约<5微秒激活。在这两种情况下,该设备返回到读模式而不改变指定
部门。
)/$6+
扇区擦除
擦除挂起
部门保护
9
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