0DUFK#5333
®
$65<)373
2SHUDWLQJ#PRGHV
模式
ID读码MFR
ID读码器
读
待机
输出禁用
写
使部门保护
部门撤消
验证部门保护
CE
L
L
L
H
L
L
L
L
L
OE
L
L
L
X
H
H
V
ID
V
ID
L
WE
H
H
H
X
H
L
脉冲/ L
脉冲/ L
H
A0
L
H
A0
X
X
A0
L
L
L
A1
L
L
A1
X
X
A1
H
H
H
A6
L
L
A6
X
X
A6
L
H
L
A9
V
ID
V
ID
A9
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
DQ0-DQ7
CODE
CODE
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
X
X
CODE
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
L =低（ <V
IL
） ; H =高（ >V
IH
); V
ID
= 12.0 ± 0.5V ; X =没有车。
0RGH#GHILQLWLRQV
项
MFR的ID码，
器件代码
读取模式
描述
通过A9 = V选定
ID
（ 11.5-12.5V ） ，CE = OE = A 1 = A 6 = L ，使输出。
当A0引脚为低电平（V
IL
）输出数据= 52H ，独特的制造商。对于联盟的半导体闪存产品的代码。
当A0引脚为高电平（ V
IH
), D
OUT
表示为AS29F040设备代码。
用CE选定OE = = L ， WE = H的数据是在T有效
加
地址后，时间是稳定的，T
CE
经过CE为低电平
和T
OE
OE后低。
与CE = H部分选定断电了，我
CC
减少到<1.0毫安为TTL电平输入和<100 μA
对于CMOS电平。如果在一个自动化的片算法启动时，该装置完成操作
在进入待机状态。
与CE =所选WE = 1， OE = H完成所有Flash的擦除和编程通过命令
注册。命令寄存器的内容作为输入，内部状态机。地址锁存发生
在WE或CE的下降沿，无论后期出现。数据锁存发生在上升沿WE或CE ，
以先到为准。在我们的过滤器防止杂散噪声事件出现的写命令。
与外部编程设备实施的硬件保护电路会导致设备
禁用编程和擦除操作的指定部门。
禁止扇区保护利用外部编程设备的所有部门。各部门一定要
前部门解除保护保护。
验证写保护部门。行业免受商业编程/擦除操作
编程设备。确定是否在系统中写入ID读命令扇区保护存在
序列和阅读位置XXX02h ，其中地址位A16-18选择定义的扇区地址。
在DQ0逻辑1表示受保护的部门;逻辑0表示未受保护的扇区。
待机
输出禁用部分保持通电;但随着OE禁用输出拉高。
写
启用
部门保护
扇形
撤消
VERIFY
部门保护
','#440533440$1#728233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
6
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
