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AS29F040-120LI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-120LI图片预览
型号: AS29F040-120LI
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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$65<)373
®
3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
6HFWRU#DUFKLWHFWXUH#DQG#DGGUHVV#WDEOH
平等的部门架构
扇形
地址
00000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
40000h–4FFFFh
50000h–5FFFFh
60000h–6FFFFh
70000h–7FFFFh
大小(字节)
64
64
64
64
64
64
64
64
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
ID扇区地址
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
)/$6+
5($'#FRGHV
模式
MFG码(联盟
安森美半导体)
器件代码
扇区保护
A18–A16
X
X
扇形
地址
A9
V
ID
V
ID
V
ID
A8–A7
X
X
扇形
地址
A6
L
L
L
A5–A2
X
X
扇形
地址
A1
L
L
H
A0
L
H
L
在DQ0 - DQ7码
52h
A4h
01H保护
00H无保护
L =低( <V
IL
) ; H =高( >V
IH
) ; X =无关。
&RPPDQG # IRUPDW
命令
顺序
重置/读取
重置/读取
需要
总线周期
1
4
第一总线写
周期
地址
XXXXH
5555h
数据
F0h
AAH
第二个总线写
周期
地址
地址
2AAAh
数据
数据
55h
5555h
F0h
地址
00h
MFR码
自选ID
4
5555h
AAH
2AAAh
55h
5555h
90h
01h
器件代码
XXX02h
扇形
保护
4
6
6
1
1
5555h
5555h
5555h
XXXXH
XXXXH
AAH
AAH
AAH
B0h
30h
2AAAh
2AAAh
2AAAh
55h
55h
55h
5555h
5555h
5555h
A0h
80h
80h
节目
地址
5555h
5555h
数据
52h
A4h
01 =保护
00 =无保护
节目
数据
AAH
AAH
2AAAh
2AAAh
55h
55h
5555h
扇形
地址
10h
30h
第三总线写
周期
地址
数据
读第四总线/写
周期
地址
数据
5总线写
周期
地址
数据
第六总线写
周期
地址
数据
节目
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除
暂停
扇区擦除
简历
1
2
3
4
5
6
在"Mode定义, "第3页上定义的总线操作。
读取或编程以允许擦除挂起模式非擦除扇区。
地址位A15 = X =不关心,除非程序地址的所有地址的命令。
地址位A16 = X =不关心,除了程序地址和扇区地址的所有地址的命令。
地址位A17 = X =不关心,除了程序地址和扇区地址的所有地址的命令。
地址位A18 = X =不关心,除了程序地址和扇区地址的所有地址的命令。
7
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
','#440533440$1#728233