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AS29F040-120LI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-120LI图片预览
型号: AS29F040-120LI
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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开始
7RJJOH#ELW#DOJRULWKP
开始
)/$6+
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)/$6+
)/$6+
读字节( DQ0 - DQ7 )
地址= VA
*
读字节( DQ0 - DQ7 )
两次OE来回切换
地址=不关心
DQ7 =
数据吗?
NO
NO
是时候
经过1毫秒= ?
NO
YES DONE
是否
DQ6
切换?
NO DONE
是的
NO
DQ5 = 1 ?
DQ5 = 1 ?
是的
是的
读字节( DQ0 - DQ7 )
地址= VA
*
是的
读字节( DQ0 - DQ7 )
两次OE来回切换
地址=不关心
DQ7
=
DATA =
NO
YES DONE
是否
DQ6
*
切换?
NO
DONE
发出复位/读取
命令
地址= X
数据=单元F0h
DONE
是的
*
VA =字节地址进行编程。 VA =任何的扇区地址的
行业内的期间,扇区擦除被删除。 VA =有效的地址
等于在芯片擦除任何非保护部门的组地址。
DQ7复查即使DQ5 = 1,因为DQ5和DQ7可能不会改变
同时。
发出复位/读取
命令
地址= X
数据=单元F0h
*
DONE
DQ6复查即使DQ5 = 1,因为DQ6可能会停止切换时,
DQ5变为1 。
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