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AS29CF160B-55TIN 参数 Datasheet PDF下载

AS29CF160B-55TIN图片预览
型号: AS29CF160B-55TIN
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内容描述: [2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 5.0 Volt-only]
分类和应用: 光电二极管内存集成电路闪存
文件页数/大小: 41 页 / 835 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS29CF160T-55TIN  
AS29CF160B-55TIN  
Temporary Sector Unprotect  
Parameter  
Description  
All Speed Options  
Unit  
JEDEC  
Std  
tVIDR  
tRSP  
VID Rise and Fall Time (See Note)  
Min  
Min  
500  
4
ns  
µs  
Setup Time for Temporary Sector Unprotect  
RESET  
Note: Not 100% tested.  
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram  
10.5V  
0 or 5V  
0 or 5V  
RESET  
tVIDR  
tVIDR  
Program or Erase Command Sequence  
CE  
WE  
tRSP  
RY/BY  
AC Characteristics  
Word/Byte Configuration (  
Parameter  
)
BYTE  
Description  
Switching Low or High  
All Speed Options  
Unit  
JEDEC  
Std  
tELFL/tELFH  
Max  
Max  
Min  
5
ns  
ns  
ns  
to  
BYTE  
CE  
tFLQZ  
tHQV  
25  
55  
Switching Low to Output High-Z  
Switching High to Output Active  
BYTE  
BYTE  
Confidential  
- 27 of 41 -  
Rev.1.0 July 2019  
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