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    UT7C139C55WCA 参数 Datasheet PDF下载

    UT7C139C55WCA图片预览
    型号： UT7C139C55WCA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Kx8 / 9抗辐射双口静态RAM与忙标志 [4Kx8/9 Radiation-Hardened Dual-Port Static RAM with Busy Flag]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 21 页 / 360 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第12页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第13页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第14页浏览型号UT7C139C55WCA的Datasheet PDF文件第15页  
    tWC  
    Address  
    CE  
    tHA  
    tSCE  
    tAW  
    tWHWL  
    R/W  
    tSA  
    tPWE  
    tSD  
    tHD  
    Data in  
    DATA VALID  
    tLZWE  
    tHZWE  
    HIGH IMPEDANCE  
    Data out  
    Assumptions:  
    1. The internal write time of memory is defined by the overlap of CE  
    LOW and R/W LOW. Both signals must be LOW to initialize a write,  
    and either signal can terminate a write by going HIGH. The data input  
    set-up and hold timing should be referenced to the rising edge of the sig-  
    nal that terminates the write.  
    2. R/W must be HIGH during all address transactions.  
    3. Data I/O pins enter high impedance even if OE is held LOW during  
    write.  
    Figure 4b. Write Cycle 2: R/W Three-States Data I/Os (Either Port)  
    11  

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