3.框图
WP
闪存阵列
PAGE （ 256 / 264字节）
缓冲器1 （ 256 / 264字节）
缓冲液2 （ 256 / 264字节）
SCK
CS
RESET
VCC
GND
SI
I / O接口
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性， AT45DB081D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度，包括的
扇区，块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分，并详细介绍了
每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除
操作可以在芯片，扇区，块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
行业0A
块0
1座
BLOCK 2
部门0B = 248页
63,488 / 65,472字节
部门架构
行业0A = 8页
2048 / 2112字节
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
行业0B
第6页
BLOCK 30
第7页
第8页
第9页
部门1 = 256页
65,536 / 67,584字节
31座
BLOCK 33
部门2 = 256页
65,536 / 67,584字节
部门1
1座
BLOCK 32
第14页
第15页
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
第16页
第17页
第18页
行业14 = 256页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
行业15 = 256页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 510
BLOCK 511
第4094
页面4,095
块= 2048 / 2112字节
页= 264分之256字节
4
AT45DB081D
3596O–DFLASH–1/2013
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