7.编程和擦除命令
7.1
缓冲区写
数据可以从输入引脚（ SI ）被移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.将数据加载到
标准数据闪存缓冲器（ 264字节） ， 1字节的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，
必须移入设备，其次是3个地址字节组成的15无关位
九缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。九个缓冲器地址位中指定的第一个字节
该缓冲器被写入。将数据加载到二进制缓存（每个256字节） ， 1字节的操作码
84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须移入器件，后跟三个地址
字节由16无关位和八个缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。八缓冲器消耗
FER地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。之后的最后一个地址字节有
被移入器件，数据就可以在随后的时钟周期移入。如果端部
的数据缓冲器达到时，该装置将绕回的缓冲区的开始。
数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的过渡是在CS检测
引脚。
7.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
写入任一缓冲器1或缓冲器2的数据可被编程到主存储器中。 1字节
操作码， 83H缓冲区1或86H缓冲区2 ，必须移入器件。对于数据闪存
标准页面大小（ 264字节） ，操作码必须跟三个地址字节包括
3不在乎位，第12页地址位（ PA11 - PA0 ） ，在主MEM-指定页
储器写入和九个无关位。为了执行缓冲，以主存储器页编程
带内置擦除的二进制页面大小（ 256字节），操作码83H为缓冲器1或86H为
缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节包含四个不做
护理位12页地址位（ A19 - A8） ，在所述主存储器中指定的页面上要写入
八不在乎位。当低到高的转变发生在CS引脚，部分会先
擦除在主存储器中的选定的页（擦除状态是逻辑1），则程序的
存储在缓冲器中进入在主存储器中的指定页面的数据。无论是擦除和亲
页面的编程是在内部自定时的，应在吨的最大时间
EP
.
在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
7.3
缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
主存储器内的先前被擦除的页可以与任一的内容进行编程
缓冲区1或2，缓冲1个字节的操作码， 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ，必须移入
该设备。用于数据闪存标准页面大小（ 264字节） ，操作码后面必须跟
三个地址字节包括三个无关位，第12页地址位（ PA11 - PA0 ）表示
指定要被写入主存储器中的页面和9无关位。为了执行缓冲
到主存储器页面程序没有内置擦除的二进制页面大小（ 256字节） ，则
操作码88H缓冲区1 89H缓冲区2 ，必须移入器件跟着三
地址字节由四个不在乎位，第12位地址（ A19 - A8 ）指定的
在主存储器页将被写入和8无关位。当低到高的转变
发生在CS引脚，该部分将存储在缓冲器中的数据编程到指定页
主存储器中。必要的是该正被编程的页面在主存储器具有
使用擦除命令（页擦除或块擦除）中的一个预先擦除。该
页面的编程是在内部自定时的，应在吨的最大时间
P
.
在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
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AT45DB081D
3596O–DFLASH–1/2013
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