AT45DB081D
页边界交叉（从一个页面的结束的开始交叉时
下页） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该设备将CON组
tinue读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页
边界，没有延迟，将所述阵列的的端部缠绕时将发生
开头的阵列。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚（ SO ） 。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.4
主存储器页读
读出的主存储器页面允许用户直接从4096页中的任何一个读数据
在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要开始从数据闪存标准页面大小（ 264字节）阅读页面，操作码
D2H必须移入器件后跟三个地址字节（其中包括
24位页和字节地址序列）和4不在意字节。第12位（ PA11 -
PA0 ）的21位地址序列指定在主存储器中的页被读取，最后
9位（ BA8 - BA0 ）的21位的地址序列的指定范围内的起始字节地址
该页面。开始从二进制页面大小（ 256字节）读取一个页面，在操作码的D2H必须
移入器件后跟三个地址字节和四不在乎字节。第12
位（ A19 - A8）的20比特序列的指定要读取的页的主存储器阵列，
最后8位（ A7 - A0），该20比特的地址序列的指定的起始字节
在页面内解决。不在乎跟着地址字节发送初始化的字节
读出操作。继不要在数据被照顾字节，附加脉冲在SCK的结果
输出上的SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码，地址字节，不在乎字节，数据的读取。时的一个末端
在主存储器页到达时，设备将继续读回时的初
同一个页面。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。最大SCK频率允许的主存储器页读是
通过的F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。四
操作码， D4H或D1H对缓冲液1和D6H或D3H为缓存器2 ，可用于在缓冲器读
命令。使用每个操作码的取决于最大SCK的频率，将用于
从缓冲器中读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何SCK频率可达使用
用F指定的最大
CAR1
。该D1H和D3H操作码可用于较低频率
读操作最多为f指定的最大值
CAR2
.
执行从标准数据闪存缓冲器（ 264字节）读缓冲器，操作码必须是
移入器件后跟三个地址字节由15无关位和
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。执行从二进制缓冲器读出的缓冲器（ 256
字节） ，操作码必须移入器件后跟三个地址字节组成
16不关心位和8缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。下面的地址字节，
1不在乎字节的时钟必须在初始化读操作。 CS引脚必须保持
操作码，地址字节，不在乎字节加载，以及在读期间低
数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的开头
的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。
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3596O–DFLASH–1/2013
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