IRF630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 95 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

IRF630

f=1.0MHz

=5.9A

，门源电压（ V）

=40V

=100V

=160V

C（ pF）的

1000

国际空间站

OSS

RSS

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

100us

1ms

0.2

(A)

0.1

0.05

0.02

10ms

=25 C

单脉冲

100m

100

1000

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJC

+ T

0.1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

10V

10%

D（上）

D（关闭）

收费

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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