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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 95 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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IRF630
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=125
o
C)
o
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=5.4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=5.4A
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=5.9A
V
DS
=160V
V
GS
=10V
V
DD
=100V
I
D
=5.9A
R
G
=12Ω,V
GS
=10V
R
D
=16Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
200
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
4.2
-
-
-
25
4
14
10
29
32
24
630
210
65
1.6
MAX 。单位
-
0.4
4
-
25
250
±100
45
-
-
-
-
-
-
1010
-
-
2.4
V
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
3
3
测试条件
T
j
=25℃, I
S
= 9.0A ,V
GS
=0V
I
S
=5.9A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
225
2.2
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
uC
t
rr
Q
rr
注意事项:
反向恢复时间
反向恢复电荷
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 1MH ,R
G
=25Ω
3.Pulse测试
本产品为静电敏感,请小心处理。
本产品已合格使用消费类应用。应用程序或生命支持
或其他类似任务关键设备或系统的未经授权。
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