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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 95 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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IRF630
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
易于并联的
快速开关特性
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
200V
0.4Ω
9.0A
S
描述
APEC MOSFET提供电源设计与快速的最佳组合
切换,低导通电阻和合理的成本。
该TO- 220和包装普遍首选的所有商业,工业
应用程序。该装置适合于开关模式电源,直流 - 交流
转换器和大电流高速开关电路。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
200
±20
9.0
5.7
36
74
0.59
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
40
9
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.7
62
单位
℃/W
℃/W
200420071-1/4
数据&规格如有变更,恕不另行通知