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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 95 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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IRF630
16
12
T
C
=25 C
o
10V
8.0V
10
T
C
=150
o
C
I
D
,漏电流( A)
10V
8 .0V
7 .0V
12
7.0V
I
D
,漏电流( A)
8
8
6
6.0 V
6.0V
4
4
V
G
=5 .0V
2
V
G
=5.0V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
I
D
=5.4A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化ř
DS ( ON)
2
1
1
0.9
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
1.4
图4.归一导通电阻
V.S.结温
8
1.2
T
j
= 150 C
6
o
T
j
= 25 C
o
归V
GS ( TH)
(V)
1.4
1
I
S
(A)
4
0.8
2
0.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4