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V23990-P549-C01-PM 参数 Datasheet PDF下载

V23990-P549-C01-PM图片预览
型号: V23990-P549-C01-PM
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 686 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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V23990-P549-A01/ C01-PM  
final datasheet  
Output inverter  
Figure 1. Typical output characteristics  
Figure 2. Typical output characteristics  
Output inverter IGBT  
Output inverter IGBT  
Ic= f(VCE)  
Ic= f(VCE)  
25  
20  
15  
10  
5
25  
20  
15  
10  
5
0
0
VCE (V)  
VCE (V)  
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
parameter: tp = 250 us Tj = 25 °C  
parameter: tp = 250 us Tj = 125 °C  
VGE parameter:  
from:  
7 V to  
17 V  
VGE parameter:  
from:  
7 V to  
17 V  
in  
1 V steps  
in  
1 V steps  
Figure 3. Typical transfer characteristics  
Output inverter IGBT  
Figure 4. Typical diode forward current as  
a function of forward voltage  
Ic= f(VGE)  
Output inverter FRED  
IF=f(VF)  
12  
10  
8
25  
25 oC  
25 oC  
125 oC  
20  
15  
10  
5
125 oC  
6
4
2
0
0
VGE (V)  
0
2
4
6
8
10  
12  
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5 VF (V) 3  
VCE =  
parameter: tp = 250 us  
10 V  
parameter: tp = 250 us  
Copyright by Vincotech  
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