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V23990-P549-C01-PM 参数 Datasheet PDF下载

V23990-P549-C01-PM图片预览
型号: V23990-P549-C01-PM
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 686 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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V23990-P549-A01/ C01-PM  
final datasheet  
Output inverter  
Figure 5. Typical switching energy losses  
Figure 6. Typical switching energy losses  
as a function of gate resistor  
as a function of collector current  
Output inverter IGBT  
E = f (Ic)  
Output inverter IGBT  
E = f (RG)  
2,5  
2
2,5  
2
Eon  
Eon  
Eoff  
1,5  
1
1,5  
1
Erec  
Eoff  
Erec  
0,5  
0
0,5  
0
R G ( )  
150  
I C (A)  
0
4
8
12  
16  
20  
0
30  
60  
90  
120  
inductive load, Tj = 125 °C  
VCE = 600 V  
inductive load, Tj = 125 °C  
VCE = 600 V  
VGE=  
Rgon=  
Rgoff=  
15 V  
64 ꢃ  
64 ꢃ  
VGE=  
Ic =  
15 V  
10 A  
Figure 7. Typical switching times as a  
function of collector current  
Figure 8. Typical switching times as a  
function of gate resistor  
Output inverter IGBT  
t = f (Ic)  
Output inverter IGBT  
t = f (RG)  
1
1
tdoff  
tdoff  
tdon  
tf  
0,1  
0,1  
tf  
tdon  
tr  
tr  
0,01  
0,001  
0,01  
0,001  
0
4
8
12  
16  
20  
IC (A)  
0
30  
60  
90  
120  
150  
R G ( )  
inductive load, Tj = 125 °C  
VCE = 600 V  
inductive load, Tj = 125 °C  
VCE = 600 V  
VGE=  
Rgon=  
Rgoff=  
15 V  
64 ꢃ  
64 ꢃ  
VGE=  
Ic =  
15 V  
10 A  
Copyright by Vincotech  
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