US2307 参数 Datasheet PDF下载

型号：	US2307
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 769 K
品牌：	UNITPOWER [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]

US2307

Typical Operating Characteristics (Cont.)

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

V_GS= -4.5V

_DS= -4A

T_j=150^oC

T_j=25^oC

R_ON@T_j=25^oC: 35mΩ

0.1

0.0

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

T^j- Junction Temperature (°C)

-VSD - Source - Drain Voltage (V)

Capacitance

Gate Charge

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

Frequency=1MHz

V_DS= -10V

I_D= -4A

Ciss

Coss

Crss

Q^G- Gate Charge (nC)

-V^DS- Drain - Source Voltage (V)

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