US2307 参数 Datasheet PDF下载

型号：	US2307
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 769 K
品牌：	UNITPOWER [ ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. ]

US2307

Typical Operating Characteristics (Cont.)

Output Characteristics

Drain-Source On Resistance

160

140

120

100

V_GS= -3,-4,-5,-6,-7,-8,-9,-10V

-2V

V_GS= -1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

-1.5V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-V^DS- Drain - Source Voltage (V)

-I^D- Drain Current (A)

Transfer Characteristics

Gate Threshold Voltage

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

I_DS= -250µA

T_j=125^oC

T_j=-55^oC

T_j=25^oC

0.0

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-VGS - Gate - Source Voltage (V)

T^j- Junction Temperature (°C)

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