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THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

THN6601B图片预览
型号: THN6601B
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 281 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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Specification  
THN6601B  
Application Information  
RF performance at TS 60 in common emitter configuration  
Operation Mode  
CW, class-AB  
f (MHz)  
465  
VCE (V)  
6
POUT (dBm)  
30  
GP (dB)  
11  
ηC (%)  
56  
Output Power or Power Gain  
vs. Input Power  
Power Gain or Collector Efficiency  
vs. Output Power  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
18  
16  
14  
12  
10  
8
20  
18  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
f = 465 MHz, VCE = 6 V, ICQ = 5 mA  
f = 465 MHz, VCE = 6 V, ICQ = 4 mA  
16  
14  
12  
10  
8
GP  
GP  
ηC  
POUT  
6
6
4
4
2
2
0
0
30  
0
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
15  
20  
25  
30  
35  
Input Power, PIN (dBm)  
Output Power, POUT (dBm)  
http://www.tachyonics.co.kr  
July 2005.  
Rev. 1.0  
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