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THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

THN6601B图片预览
型号: THN6601B
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 281 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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Specification  
THN6601B  
Typical Characteristics ( TA = 25, unless otherwise specified)  
Power Dissipation  
vs. Ambient Temperature  
Reverse Transfer Capacitance  
vs. Collector to Base Voltage  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
0
2
4
6
8
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Ambient Temperature, TA (oC)  
Collector to Base Voltage, VCB (V)  
DC Current Gain  
Collector Current  
vs. Collector Current  
vs. Base to Emitter Voltage  
30  
160  
140  
120  
100  
80  
VCE = 5 V  
25  
20  
15  
10  
5
VCE = 5 V  
60  
40  
20  
0
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
Base to Emitter Voltage, VBE (V)  
Collector Current, IC (A)  
http://www.tachyonics.co.kr  
Rev. 1.0  
July 2005.  
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