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THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

THN6601B图片预览
型号: THN6601B
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 281 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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Specification  
THN6601B  
Collector Current  
Gain Bandwidth Product  
vs. Collector to Emitter Voltage  
vs. Collector Current  
10  
8
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
VCE = 5 V  
VCE = 7 V  
IB step = 1.8 mA  
6
4
2
0
10  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
100  
1000  
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)  
Collector Current, IC (mA)  
Insertion Power Gain  
vs. Collector Current  
Maximum Available Gain  
vs. Collector Current  
12  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
VCE = 5 V  
VCE = 7 V  
f = 1 GHz  
VCE = 5 V  
VCE = 7 V  
f = 1 GHz  
10  
8
6
4
6
4
2
2
0
10  
0
10  
100  
1000  
100  
1000  
Collector Current, IC (mA)  
Collector Current, IC (mA)  
http://www.tachyonics.co.kr  
July 2005.  
Rev. 1.0  
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