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THN6301 参数 Datasheet PDF下载

THN6301图片预览
型号: THN6301
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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THN6301 Series  
Output 3rd Order Intercept Point, OIP3 vs. IC  
CCB vs. VCB  
(ZS = ZL = 50 )  
1
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
35  
VCE = 8 V  
f = 1 MHz  
30  
25  
20  
15  
10  
5
f = 1 GHz  
VCE = 6 V  
VCE = 3 V  
0
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
IC [mA]  
VCB [V]  
NF vs. IC  
Noise Figure Contours & Constant Gain  
f = 1 GHz, VCE = 8 V, IC = 5 mA  
VCE = 8 V, IC = parameter, ZS = ZSopt  
Output Stable  
f = 1 GHz  
2.6  
2.1  
1.6  
1.1  
0.6  
ΓOPT=0.322∠104  
Input Stable  
NF =1.0dB  
=1.1dB  
=1.2dB  
=1.3dB  
GA=17dB  
4 contour  
=16dB  
=15dB  
=14dB  
=13dB  
5 contour  
0
5
10  
15  
20  
25  
IC [mA]  
Aug.-2005  
Rev 2.0  
www.tachyonics.co.kr  
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