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THN6301 参数 Datasheet PDF下载

THN6301图片预览
型号: THN6301
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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THN6301 Series  
Insertion Power Gain, |S21|2 vs. Frequency  
Maximum Available Gain, MAG vs. Frequency  
24  
26  
24  
22  
20  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
18  
VCE = 8 V  
VCE = 8 V  
16  
IC = 15 mA  
IC = 15 mA  
14  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
12  
IC = 15 mA  
IC = 15 mA  
10  
6
8
4
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
freq, GHz  
Frequency [GHz]  
freq, GHz  
Frequency [GHz]  
Transition Frequency, fT vs. IC  
Maximum Available Gain, MAG vs. IC  
14  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
VCE = 8 V  
VCE = 8 V  
VCE = 3 V  
f = 1 GHz  
12  
10  
8
VCE = 3 V  
6
4
VCE = 2 V  
VCE = 2 V  
2
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
IC [mA]  
IC [mA]  
Aug.-2005  
Rev 2.0  
www.tachyonics.co.kr  
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