THN6301 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6301
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 207 K
品牌：	TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]

THN6301 Series

Total Power Dissipation, P_Tvs. T_A

I_Cvs. V_CE

250

200

150

100

I_B= 200 uA

I_B= 150 uA

I_B= 100 uA

I_B= 50 uA

V_CE[V]

Ambient Temperature, T₁_A₂[₅℃]₁₅₀

100

I_Cvs. V_BE

h_FEvs. I_C

300

250

200

150

100

V_CE= 8 V

0.0

0.1

0.2

0.4

0.6

[V]

0.8

1.0

100

I_C[mA]

V_BE[V]

Aug.-2005

Rev 2.0

www.tachyonics.co.kr

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