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SM12809DT-6.6 参数 Datasheet PDF下载

SM12809DT-6.6图片预览
型号: SM12809DT-6.6
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内容描述: [Synchronous DRAM Module, 32MX72, 4.5ns, CMOS, DIMM-168]
分类和应用: 动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 12 页 / 153 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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CAS2/150MHz HSDRAM  
64MB, 128MB DIMM  
Preliminary Data Sheet  
64MB DIMM Functional Block Diagram – SM6408DT-6.6  
S0#  
Clock Wiring  
4 SDRAM+3.3 pf  
Termination  
4 SDRAM+3.3 pf  
Termination  
CK0  
CK1  
CK2  
CK3  
DQMB0  
DQMB1  
DQMB4  
DQMB5  
U0  
U1  
U4  
DQ(7:0)  
DQ(39:32)  
DQ(47:40)  
10  
CK0,2  
SDRAMs  
U5  
DQ(15:8)  
Clock Termination  
10  
CK1,3  
10 pf  
S2#  
DQMB2  
DQMB6  
DQMB7  
SDA  
WP  
SCL  
U2  
U3  
U6  
Serial PD  
DQ(23:16)  
DQ(55:48)  
DQ(63:56)  
SA0-2  
47K  
BA0  
BA0 SDRAM U0-7  
BA1 SDRAM U0-7  
DQMB3  
BA1  
A0-A11  
Vdd  
U7  
DQ(31:24)  
A0-A11 SDRAM U0-7  
Vdd SDRAM U0-7  
Vss  
Vss SDRAM U0-7  
RAS#  
RAS# SDRAM U0-7  
CAS# SDRAM U0-7  
WE# SDRAM U0-7  
CKE0 SDRAM U0-7  
CAS#  
WE#  
CKE0  
Note: All DQ resistor values are 10 ohms  
All CK resistor values are 10 ohms  
U0-U7 are SM3603T-6.6  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
2000 Enhanced Memory Systems. All rights reserved.  
The information contained herein is subject to change without notice.  
Revision 1.0  
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