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BSS123BKN3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSS123BKN3
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内容描述: [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 447 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C591N3  
Issued Date : 2016.12.07  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 5/9  
Typical Characteristics(Cont.)  
Typical Transfer Characteristics  
Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient  
(Note on page 2)  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VDS=10V  
TJ(MAX)=150°C  
TA=25°C  
θ
R
JA=416°C/W  
0
0
1
1
2
3
GS, Gate-Source Voltage(V)  
4
5
0.0001 0.001  
0.01  
0.1 1  
Pulse Width(s)  
10  
100  
1000  
V
Transient Thermal Response Curves  
D=0.5  
0.2  
JA  
θ
θ
1.R JA(t)=r(t)*R  
0.1  
0.1  
2.Duty Factor, D=t1/t2  
3.TJM-TA=PDM*RθJA(t)  
0.05  
JA=416°C/W  
θ
4.R  
0.02  
0.01  
0.01  
Single Pulse  
0.001  
1.E-04  
1.E-03  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
1.E+02  
1.E+03  
t1, Square Wave Pulse Duration(s)  
BSS123BKN3  
CYStek Product Specification  
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