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C2M0080120D 参数 Datasheet PDF下载

C2M0080120D图片预览
型号: C2M0080120D
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内容描述: 碳化硅功率MOSFET Z- FETTM MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 869 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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Test Circuit Diagrams and Waveforms  
trr  
id dt  
tx  
t
rr  
Qrr=  
Ic  
tx  
10% Irr  
V
cc  
10% V  
Irr  
cc  
Vpk  
Diode Recovery  
Waveforms  
t2  
id dt  
t1  
Erec=  
Diode Reverse  
Recovery Energy  
t1  
t2  
Figure 26. Body Diode Recovery Waveform  
2
EA = 1/2L x ID  
Figure 27. Unclamped Inductive Switching Test  
Circuit  
Figure 28. Unclamped Inductive Switching wave-  
form for Avalanche Energy  
ESD Ratings  
ESD Test  
Total Devices Sampled  
Resulting Classification  
ESD-HBM  
ESD-MM  
ESD-CDM  
All Devices Passed 1000V  
All Devices Passed 400V  
All Devices Passed 1000V  
2 (>2000V)  
C (>400V)  
IV (>1000V)  
8
C2M0080120D Rev. A  
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