C2M0080120D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C2M0080120D
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内容描述：	碳化硅功率MOSFET Z- FETTM MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 869 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Clamped Inductive Switch Testing Fixture and Waveforms

C4D10120D

10A, 1200V

SiC Schottky

L = 856 µH

V = 800 V

C = 42.3 µF

D.U.T.

C2M0080120D

Figure 23. Clamped Inductive Switching Waveform Test Circuit

t_On

t_Off

t_{d (On)}t_r

t_{d (Off)}t_f

V_DS

V_{DS On}

90%

_{DS Off}

10%

V_{GS On}

90%

V_GS

10%

V_{GS Off}

Figure 24. Switching Test Waveforms for Transition Times

D.U.T.

C2M0080120D

L = 856 µH

V = 800 V

C = 42.3 µF

C2M0080120D

Figure 25. Body Diode Recovery Test Circuit

C2M0080120D Rev. A

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