NE5500179A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NE5500179A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器 [4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS]
分类和应用：	放大器射频GSM
文件页数/大小：	5 页 / 43 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NE5500179A

RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (Units in mm)

4.0

1.7

Drain

Gate

Source

Through hole φ 0.2 × 33

0.5

6.1

EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR

RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS

CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES • Headquarters • 4590 Patrick Henry Drive • Santa Clara, CA 95054-1817 • (408) 988-3500 • Telex 34-6393 • FAX (408) 988-0279

24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) • Internet: http://WWW.CEL.COM

07/05/2000

DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案