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PW-AN0013
FP5139 架構及
Boost Converter 應用說明
Technology , Corp.
版別
A0
的數據，逆壓一定要高過
VOUT 且建議多一倍為宜，高導通電流的
VF 值通常較
低，考慮效率及承受短路能力下用
IOUT 的 1~2 倍為宜。
這裡，我們選用 AP2306N
及
SCD24 做為 Q2
及
D1
。
兩顆零件的導通功率消耗計算公式可如下估算
:
PNMOS = RDS(ON ) × ID2S × D
P
= VF × IF ×
1− D
AP2306:
SCD24:
SBD
討論完與升壓拓樸電路有關的主零件設計及選用後，開始設計 IC 週邊零件：
首先，計算 FP5139 轉換輸出電壓公式如下：
R
R
2
6
VOUT
=
1
+
VFB = +18(V )
其中 VFB 為 IC 內部誤差放大器參考電壓
因
V
FB 為 0.5V，想要得到+18V 的輸出電壓，則取決於 R2
與
為
R6 的比值，在設
4.3KΩ，將上述各
計上我們考慮負載變動的大小，所以取 R2
為 150KΩ，R6
值代入公式中得到輸出電壓為：
150
K
K
VOUT
=
1
+
0.5 = 17.94(V )
4.3
要得到精確的輸出電壓除了 IC 的參考電壓需精確外，電阻誤差也請考慮到。
(
誤差是相加的!!!)
接著計算 BR/ CTL 的對地電阻值，BR/CTL 電阻阻值決定輸出端電流大小。
NMOS 雖然是電壓驅動元件，但仍要對輸入電容充電，並可由下面關係式求得
該
MOS 的最高工作頻率：
gm
f
max =
2π
(CGS
+
(
1
+ gmRL
)CGD
)
其中
C
GS 和
C
GD 在 NMOS 的規格書上都不會直接標示；必須用下面關係表示：
Crss=CGD
CGS=Ciss-CGD
根據 AP2306
電流變化值與 vGS 相除，而
GGD=111pF, CGS=603-111=492pF, gm=1.09A/3.0V=0.363
代入
的
Data Sheet 可知 Ciss=603pF
，
Crss=111pF；而 gm
為 NMOS Drain
R
L 是電感串聯電阻
(
這裡忽略之 ，可得：
)
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