文件編號
文件名稱
PW-AN0013
FP5139 架構及
Boost Converter 應用說明
Technology , Corp.
版別
A0
4. 輸出與 MOS 關係：
NMOS 本身存在有以下特性必須在匹配 FP5139 設計之初就被考慮到：
1. 電壓電流規格： VDSS, VGSS, ID, IDP, PD
2. 導通特性： VTH, RDS(ON)
3. 切換時間與內在電容： Ciss, tr, tON, tf, tOFF
4. Total Gate Charge： Qg
5. Package
在與 FP5139 的匹配上存在較大的影響因素主要在瞬間的切換狀態(與切換時
間，Total Gate Charge)及 PWM 導通後的狀態(與導通特性)，而以 IC 輸出可視
MOSFET 為一電容對地負載。因此，除 MOSFET 導通時的 RDS(ON)要低之外，
切換損失也是使 MOSFET 產生多餘熱耗的來源之一，這段 MOSFET 的損失是
可以被下面計算式描述：
P = VDS IDS
D
(用於估算 tON，其中 D 代表 ON Duty Cycle)
Q
或根據 NMOS 的導通阻抗 RDS(ON)可表示成：
P = RDS(ON) ID2S
D
Q
驅動級的驅動功率則可由下面公式說明：
PDRV = Qg VGS fS
注意此處的 Qg 為 MOSFET 的 Total Gate Charge 的值。
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