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U634H256SK35 参数 Datasheet PDF下载

U634H256SK35图片预览
型号: U634H256SK35
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内容描述: POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 248 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U634H256  
Write Cycle #1: W-controlledj  
tcW  
(12)  
Ai  
Address Valid  
(17)  
th(A)  
tsu(E)  
(21)  
E
tsu(A-WH)  
(16)  
W
tw(W)  
(13)  
tsu(A)  
(15)  
tsu(D)  
th(D)  
(19)  
Input Data Valid  
ten(W)  
(20)  
DQi  
Input  
t
dis(W) (22)  
(23)  
DQi  
High Impedance  
Previous Data  
Output  
Write Cycle #2: E-controlledj  
tcW  
Address Valid  
tw(E)  
(12)  
Ai  
E
th(A)  
(21)  
(18)  
tsu(A)  
(15)  
tsu(W)  
(14)  
W
t
th(D)  
Input Data Valid  
High Impedance  
su(D) (19)  
(20)  
DQi  
Input  
DQi  
Output  
undefined  
L- to H-level  
H- to L-level  
i: If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.  
j: E or W must be VIH during address transition.  
6
April 21, 2004