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W9825G6KH-6 参数 Datasheet PDF下载

W9825G6KH-6图片预览
型号: W9825G6KH-6
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内容描述: [Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 42 页 / 714 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W9825G6KH  
11.17 Timing Chart of Read to Write Cycle  
In the case of Burst Length = 4  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
0
(1) CAS Latency=2  
(
a ) Command  
Read Write  
DQM  
DQ  
D0  
D1  
D2  
D3  
(
b
) Command  
DQM  
Read  
Write  
D0  
D1  
D2  
D2  
D3  
D3  
DQ  
(2) CAS Latency=3  
(
a ) Command  
Read Write  
DQM  
DQ  
D0  
D1  
(
b
) Command  
DQM  
Read  
Write  
D0  
D1  
D2  
D3  
DQ  
Note: The Output data must be masked by DQM to avoid I/O conflict.  
11.18 Timing Chart of Write to Read Cycle  
In the case of Burst Length=4  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
0
(1) CAS Latency=2  
Write Read  
(a )Command  
DQM  
DQ  
D0  
Q0  
Q1  
Q0  
Q2  
Q1  
Q3  
Q2  
(b)Command  
DQM  
Read  
Write  
DQ  
D0  
D1  
Q3  
(2) CAS Latency=3  
(a )Command  
DQM  
Write Read  
DQ  
D0  
Q0  
Q1  
Q0  
Q2  
Q1  
Q3  
Q2  
(b)Command  
DQM  
Write  
Read  
DQ  
D0  
D1  
Q3  
Publication Release Date: Sep. 01, 2014  
Revision: A02  
- 37 -  
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