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W9825G6KH-6 参数 Datasheet PDF下载

W9825G6KH-6图片预览
型号: W9825G6KH-6
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内容描述: [Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 42 页 / 714 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W9825G6KH  
11.16 Auto-precharge Timing (Write Cycle)  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
CLK  
(1) CAS Latency= 2  
(a) burst length = 1  
Command  
Write  
D0  
AP  
Act  
tWR  
tRP  
DQ  
(b) burst length = 2  
Command  
Write  
D0  
AP  
Act  
AP  
tWR  
tRP  
DQ  
D1  
D1  
(c) burst length = 4  
Command  
Act  
D7  
Write  
D0  
tRP  
tWR  
DQ  
D2  
D3  
D3  
(d) burst length = 8  
Command  
Write  
D0  
AP  
Act  
tWR  
tRP  
DQ  
D1  
D2  
AP  
D4  
D5  
Act  
D6  
(2) CAS Latency= 3  
(a) burst length = 1  
Command  
Write  
D0  
tWR  
tRP  
DQ  
(b) burst length = 2  
Command  
Write  
D0  
AP  
Act  
tWR  
tRP  
DQ  
D1  
D1  
D1  
(c) burst length = 4  
Command  
Write  
D0  
AP  
D5  
Act  
tWR  
tRP  
DQ  
D2  
D2  
D3  
D3  
(d) burst length = 8  
Command  
Write  
D0  
AP  
Act  
tWR  
tRP  
DQ  
D4  
D6  
D7  
Note )  
represents the Write with Auto precharge command.  
represents the start of internal precharing.  
represents the BankActive command.  
Write  
AP  
Act  
When the /auto precharge command is asserted,the period from BankActivate  
command to the start of intermal precgarging must be at least tRAS (min).  
Publication Release Date: Sep. 01, 2014  
Revision: A02  
- 36 -  
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