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W25Q16DVSSIG 参数 Datasheet PDF下载

W25Q16DVSSIG图片预览
型号: W25Q16DVSSIG
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内容描述: 具有双路和四路SPI 3V 16M位串行闪存 [3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 81 页 / 1120 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W25Q16DV  
7.2.2 Instruction Set Table 1 (Erase, Program Instructions)(1)  
BYTE 1  
(CODE)  
INSTRUCTION NAME  
BYTE 2  
BYTE 3  
BYTE 4  
BYTE 5  
BYTE 6  
Write Enable  
06h  
Write Enable for Volatile  
Status Register  
50h  
Write Disable  
04h  
05h  
(2)  
Read Status Register-1  
Read Status Register-2  
Write Status Register  
Page Program  
(S7–S0)  
(S15-S8)  
(2)  
35h  
01h  
(S7–S0)  
A23–A16  
A23–A16  
A23–A16  
A23–A16  
A23–A16  
(S15-S8)  
A15–A8  
A15–A8  
A15–A8  
A15–A8  
A15–A8  
02h  
A7–A0  
A7–A0  
A7–A0  
A7–A0  
A7–A0  
(D7–D0)  
(3)  
Quad Page Program  
Sector Erase (4KB)  
Block Erase (32KB)  
Block Erase (64KB)  
Chip Erase  
32h  
(D7–D0, …)  
20h  
52h  
D8h  
C7h/60h  
75h  
Erase / Program Suspend  
Erase / Program Resume  
Power-down  
7Ah  
B9h  
Continuous Read Mode  
FFh  
FFh  
(4)  
Reset  
Notes:  
1. Data bytes are shifted with Most Significant Bit first. Byte fields with data in parenthesis “()” indicate data being  
read from the device on the DO pin.  
2. The Status Register contents will repeat continuously until /CS terminates the instruction.  
3. Quad Page Program Input Data:  
IO0 = (D4, D0, ……)  
IO1 = (D5, D1, ……)  
IO2 = (D6, D2, ……)  
IO3 = (D7, D3, ……)  
4. This instruction is recommended when using the Dual or Quad “Continuous Read Mode” feature. See section  
7.2.19 & 7.2.20 for more information.  
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